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對低壓變頻器溫升進行試驗的方法

發(fā)布時間:2019-08-01 10:44:40來源:

對低壓變頻器溫升進行試驗的方法

 

1 引言

隨著現(xiàn)代科技的發(fā)展,越來越多的行業(yè)應(yīng)用變頻器產(chǎn)品,變頻器不僅用于控制多種類型的電動機,改進以后還可用于逆變電源(eps),總之變頻器用途廣泛,市場巨大。對于用戶首先要掌握如何選擇及正確使用變頻器,以保證其可靠合理的運行。一個良好品質(zhì)的變頻器都應(yīng)該通過真正意義上的產(chǎn)品質(zhì)量認證及其完整的試驗(型式試驗)。溫升試驗是型式試驗里的很重要的一項試驗,其溫升值可間接反映出變頻器的工藝結(jié)構(gòu)及電氣設(shè)計水平、多種缺陷及故障隱患等。溫升的上限值過高會造成因過載、過流、環(huán)境溫度增加而燒毀變頻器。溫升的上限值過低會帶來變頻器的體積過大、成本增加等不利因素。變頻器的故障率隨溫度升高而成指數(shù)上升,使用壽命隨溫度升高而成指數(shù)下降。所以應(yīng)保證變頻器的使用溫度,認真考慮其散熱問題。

2 變頻器的基本原理及發(fā)熱部位

圖1 典型的通用變頻器主電路原理圖

圖1中:ur:整流模塊;ui:逆變模塊。

2.1 變頻器的基本原理

通用型一般采用ac-dc-ac變換方式,圖1繪出了一種典型的通用變頻器的主電路,就是將固定不變電壓和頻率的工頻電源轉(zhuǎn)換為電壓或頻率可變的交流輸出,以調(diào)節(jié)電動機的速度,整個過程就是整流+逆變。圖2繪出了變頻器輸出電壓波形。

圖2 變頻器輸出電壓波形

2.2 變頻器的發(fā)熱機理及主要部位

變頻器的發(fā)熱量取決于其效率,提高效率是降低溫升的有效途徑。效率用下式計算:

η= (p0/p1)×100%

其中:p0:變頻器的輸出有功功率; p1:變頻器的輸入有功功率。

影響效率的因素很多,如調(diào)制方式、模塊、器件的性能、散熱器及風機的大小、結(jié)構(gòu)的合理性等等。當然主要發(fā)熱部位也就是整流及逆變部分。整流一般采用三相橋式整流電路,由于是工頻工作,對整流模塊的開關(guān)頻率沒有太高的要求,選擇壓降小的整流模塊可降低這一部分的溫升。在變頻器工作時,逆變模塊產(chǎn)生的熱量是非常大的,因為它是完成功率變換及輸出的執(zhí)行器件。變頻器的逆變模塊一般采用igbt模塊,它是電壓型控制,驅(qū)動功率可以做小,因此控制電路簡單,另外igbt模塊還具有開關(guān)損耗小、容量大等很多優(yōu)點,實質(zhì)是個復合功率器件。它是集雙極型功率晶體管和功率mosfet一體化的器件。igbt模塊的芯片比較大額定結(jié)溫是150℃,在任何工作條件下,都不允許超過,否則要發(fā)生熱擊穿而造成損壞,一般要留余地,在比較惡劣條件下,結(jié)溫限定在125℃以下,但芯片內(nèi)結(jié)溫監(jiān)測有難度,所以變頻器的igbt模塊,都在散熱器表面裝有溫控開關(guān),其值在80~85℃之間。另外igbt的損耗不僅與工作電流大小有關(guān),更重要的是與變頻器的載波頻率密切相關(guān)。當pwm信號頻率>5khz時開關(guān)損耗會非常顯著,溫升會明顯增加。igbt的功耗包括穩(wěn)態(tài)功耗和動態(tài)功耗,其動態(tài)功耗又包括開通功耗和關(guān)斷功耗。

(1) igbt的功耗

(2) 每一個igbt開關(guān)的損耗

(3) 每一個igbt的總功耗:pq=pss+psw

(4) 二極管功耗:

(5) 每一臂的功耗:pa+pq+pd=pss+psw+pdc+prr

其中:

esw(on): 在t=125℃時的峰值電流icp下,每個脈沖對應(yīng)的igbt開通能量;

esw(off): 在t=125℃時的峰值電流icp下,每個脈沖對應(yīng)的igbt關(guān)斷能量;

fsw: 變頻器每臂的pwm開關(guān)頻率(通常fsw=fc);

icp: 正弦輸出的電流峰值;

vce(sat): 在t=125℃時的峰值電流icp下,igbt的飽和電壓;

vec: iep情況下,續(xù)流二極管的正向壓降;

d: pwm信號占空比;

θ: 輸出電壓與電流間的相位角(功率因數(shù)=cosθ)。

igbt的芯片比較大額定結(jié)溫是150℃,在任何工作條件下,都不允許超過,否則要發(fā)生熱擊穿而造成損壞,平均結(jié)溫的估算: tj= tc+pt×rth(j-c)

rth可以在數(shù)據(jù)手冊中查到;

rth(j-c)=標定的結(jié)殼熱阻;

tj=半導體結(jié)溫;

pt=器件的總平均功耗(psw+pss);

tc=模塊的基板溫度。

3 變頻器溫升設(shè)計

了解了整流及igbt的模塊的溫度要求,就可確定模塊的散熱器的工作溫度,合適的工作溫度既可保證其經(jīng)濟性又可保證其長期、可靠、安全地運行,比如選擇igbt模塊的散熱器為70℃作為設(shè)計依據(jù),那么溫升值為:

k1= 70℃-k0=70℃-40℃=30℃

其中:k1:igbt模塊的散熱器溫升值; k0:比較高允許環(huán)境溫度。

還要參照其它各部位溫升允許值以及其它的要求,如變頻器的效率、防護等級、電流密度等以此來設(shè)計散熱器的體積、風機的容量及母排尺寸等結(jié)構(gòu)上的設(shè)計。當然不能忽略其它元器件選型的重要性。

設(shè)計完畢,將所有數(shù)據(jù)送入計算機進行仿真。溫升校核可以通過計算和樣品測試來進行。一般通過樣品試驗進行溫升核算的比較多一些。如果樣品試驗溫升不超過允許溫升,則可以通過。

4 使用中導致變頻器溫升升高的幾種因素

(1) 當前變頻器的生產(chǎn)廠家提供的使用手冊、說明書及樣本所提供的使用環(huán)境條件,一般試驗都是在裸機狀態(tài)下取得的數(shù)據(jù)。而100kw以下變頻器實際使用應(yīng)該在變頻器裝置內(nèi)(裝有變頻器的配電及電控設(shè)備),這就等于改變了變頻器的使用環(huán)境條件。如;防護等級、環(huán)境溫度、通風等,這些因素造成溫升升高。所以變頻器裝置的使用應(yīng)做補充溫升試驗。

(2) 變頻器的溫升試驗應(yīng)以較嚴酷等級試驗為依據(jù),除非與用戶達成某種協(xié)議。如開關(guān)頻率(pwm、spwm的脈寬調(diào)制頻率),在溫升試驗時應(yīng)選脈寬調(diào)制頻率的上限,不能滿足要求時應(yīng)考慮降容使用并應(yīng)在使用手冊中指明。

(3) 風道過濾網(wǎng)堵塞、散熱風扇故障及灰塵等。

(4) 使用環(huán)境溫度過高。

5 變頻器的溫升試驗

5.1 試驗依據(jù)

《調(diào)速電氣傳動系統(tǒng) 第二部分:一般要求

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