IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

    1.IGBT的特點(diǎn)：

    （1）柵極的絕緣電阻無(wú)窮大，只要向柵極充入一定的正電荷，使得柵極電壓大于導(dǎo)通電壓，管子就會(huì)導(dǎo)通，并且導(dǎo)通程度深，線性范圍很窄。這一點(diǎn)類似于MOS管。
    （2）由于柵極的絕緣電阻無(wú)窮大，因此電荷能夠一直保存，即開通后可以一直開通。而且當(dāng)柵極開路時(shí)，也常會(huì)處于開通狀態(tài)。正因?yàn)檫@個(gè)特性，驅(qū)動(dòng)IGBT的電路不需要提供很大的持續(xù)電流。但這容易引起誤導(dǎo)通，為了防止誤導(dǎo)通，柵極G和發(fā)射極E之間必須跨接一只電阻。不少第一次接觸MOS管和IGBT的用戶就是因?yàn)闆](méi)有跨接此電阻而燒了管子。跨接電阻一般為10k歐/0.25W。
    （3）柵極電容的耐壓是有一點(diǎn)限度的，一般是±20V，當(dāng)超過(guò)此限度，可能會(huì)燒壞。因此，柵極要加一對(duì)穩(wěn)壓二極管，用于吸收過(guò)高的電壓。穩(wěn)壓二極管一般頭對(duì)頭串聯(lián)，每只是18V/1W，限制的電壓范圍是±18.7V左右。

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